Cynnyrch lefel uchel silicon nitrid

Microstrwythurau mosaig silicon crisialog rhannol a geir ynsilicon nitrideFfilmiau a baratowyd gan LPCVD. Yn dibynnu ar yr amodau a'r broses tyfu, mae graddfa'r strwythur yn amrywio o ddegau i gannoedd o nanometrau. Based on the stress test results and transmission electron microscopy observation results of SiNx films grown under different conditions, the genesis of the microstructure of silicon-rich SiNx films and their interaction with the stress in the film were analyzed, and the LPCVD growth process of silicon-rich SiNx films was optimized, which greatly reduced the tensile stress of the film, and the unsupported film-forming area could reach 40mm × 40mm. Yn seiliedig ar ganlyniadau'r astudiaeth hon, gwireddwyd twf rheoledig pilenni SINX â straen tynnol penderfynol gan LPCVD.

1.Silicon nitrideParatowyd ffilmiau tenau (sin _ x) gan dechnoleg dyddodiad anwedd cemegol gwasgedd isel (LPCVD) gan ddefnyddio silane ac amonia fel ffynonellau silicon a nitrogen, yn y drefn honno, a nitrogen purdeb uchel fel nwy cludwr. Astudiwyd cineteg twf y ffilmiau pechod _ x gan ellipsometreg, nodweddwyd priodweddau ffilmiau sin _ x gan sbectrosgopeg is-goch Fourier a sbectrwm ffotodrydanol pelydr-X, ac arsylwyd y micropig} 5} sin}. O dan yr un amodau prosesau eraill, mae cyfradd twf y ffilm Sin _ x yn cynyddu'n undonog gyda'r cynnydd mewn pwysau gweithio, ac mae cymhareb (r) cyfradd llif amonia i silane yn y nwy bwyd anifeiliaid yn cael effaith groes ar gyfradd twf y ffilm. Wrth i dymheredd yr adwaith gynyddu, mae'r gyfradd ddyddodi yn cynyddu'n raddol, gan gyrraedd uchafswm o oddeutu 840 gradd ac yna'n gostwng yn gyflym. Pan ddefnyddir R2, ceir Sin Si-gyfoethog _ x ffilm denau (x1.33). Pan ddefnyddir R4, ceir ffilm sin _ x gyda bron i-stoichiometrig (z≈1.33).

Tagiau poblogaidd: Cynnyrch Lefel Uchel Silicon Nitride, China Cynnyrch Lefel Uchel Gwneuthurwyr Silicon Nitride, Cyflenwyr, Ffatri