Deunydd lefel uchel nitrid silicon

O dan amodau anghysbell, gall powdr silicon fod yn hollol nitraded yn y broses shs i gynhyrchusilicon nitride, ac mae gan y cynnyrch gynnwys nitrogen uchel a chynnwys ocsigen isel, ond mae'n gyfnod. Yn yr adwaith Silicon Fume shs, rhaid ychwanegu swm priodol o Si _3 n _4 had; Mae cyflymder lluosogi ton hylosgi SHS o silicon yn cynyddu gyda'r cynnydd mewn pwysau nitrogen a gostyngiad dwysedd llenwi adweithyddion, ond mae'n annibynnol ar gyfansoddiad yr adweithydd a diamedr sampl. Cynyddodd tymheredd y tonnau hylosgi gyda'r cynnydd mewn gwasgedd nitrogen a chynnydd diamedr y sampl, a oedd yn annibynnol ar gyfansoddiad adweithyddion a dwysedd llenwi.

1.Silicon nitridParatowyd ffilmiau trwy ddefnyddio technoleg dyddodi anwedd cemegol plasma (PECVD) o dan amodau dyddodi gwahanol (ystod tymheredd swbstrad o 20 ~ 180 gradd a phŵer RF o 10 ~ 30W), ac effeithiau amodau dyddodi ar briodweddau ac eiddo gwrth -ddŵr ffilmiau silicon nitride. Mae'r canlyniadau arbrofol yn dangos, gyda'r cynnydd yn nhymheredd y swbstrad, bod dwysedd, mynegai plygiannol a chymhareb Si/N o ffilmiau nitrid silicon yn cynyddu'n gyfatebol, tra bod y gyfradd ddyddodi a chynnwys H yn gostwng yn gyfatebol. Gyda'r cynnydd o bŵer RF, mae'r gyfradd ddyddodi, dwysedd, mynegai plygiannol a chymhareb Si/N o ffilmiau silicon nitrid yn cynyddu'n gyfatebol, tra bod y cynnwys H yn gostwng yn gyfatebol. Mae'r arbrawf treiddiad anwedd dŵr yn dangos, hyd yn oed os yw tymheredd y swbstrad yn cael ei ostwng i 50 gradd, bod gan y ffilm nitrid silicon a adneuwyd berfformiad diddos da o hyd. Mae canlyniadau arbrofol yn dangos y gellir cymhwyso ffilmiau nitrid silicon tymheredd isel yn effeithiol i becynnu dyfeisiau allyrru golau organig (OLEDs).

Tagiau poblogaidd: Deunydd Lefel Uchel Silicon Nitride, Tsieina Deunydd Lefel Uchel Gwneuthurwyr Nitride Silicon, Cyflenwyr, Ffatri