Un o'r metelau lefel uchel carbid silicon

Gyda'r cymhwysiad eang ocarbid siliconMae angen datrys dyfeisiau pŵer Transistor Maes lled -ddargludyddion ocsid metel (MOSFET), y problemau dibynadwyedd gatiau sy'n wynebu eu hwynebu ar frys, mae'r papur hwn yn adolygu strwythur giât giât planar sic dyfeisiau pŵer mosfet fertigol a dulliau sgrinio ocsigen y giât a ddefnyddir yn gyffredin yn y diwydiant, ac mae'r modelau corfforol hyn, yn cyflwyno'r modelau corfforol hyn, yn cyflwyno'r modelau corfforol hyn, yn cyflwyno'r modelau corfforol hyn, yn cyflwyno'r modelau corfforol hyn.

1.Carbon/carbid siliconyn fath newydd o ddeunydd ymwrthedd ffrithiant wedi'i seilio ar serameg perfformiad uchel a ddatblygwyd yn ystod y blynyddoedd diwethaf, sydd â chyfres o fanteision fel dwysedd isel, ymwrthedd ocsidiad da, perfformiad ffrithiant uchel a pherfformiad sefydlog, ac sydd ag ystod eang o ragolygon cymhwysiad ym maes brecio llwyth ynni uchel fel trwythau cyflymder uchel, aircles a thrwm trwm. Mae trwytho toddi adweithiol yn ffordd effeithiol o baratoi cyfansoddion ffrithiant carbon/silicon carbid. Yn seiliedig ar ddyluniad cyfansoddion ffrithiant carbon/silicon carbid, mae amodau thermodynamig y broses dreiddio toddi adweithiol, nodweddion sylfaenol a deddfau cinetig system ymateb Si-C yn cael eu dadansoddi yn fanwl. Yn y papur hwn, mae nodweddion microstrwythur a ffrithiant a phriodweddau gwisgo dau gyfansoddyn C/SIC nodweddiadol, megis mowldio ffibr byr a nodwydd tri dimensiwn, yn cael eu trafod yn systematig. Ar yr un pryd, dadansoddir defnyddio dulliau canfod peirianneg uwch fel delweddu thermol is-goch, trosglwyddo pelydr-X a CT diwydiannol mewn cydrannau cyfansawdd ffrithiant carbon/silicon carbid silicon.

Tagiau poblogaidd: Un o'r metelau lefel uchel carbid silicon, llestri un o'r gwneuthurwyr carbid silicon metelau lefel uchel, cyflenwyr, ffatri