Metel silicon metel lefel uchel 97

Penderfynu ar yr un pryd o elfennau amhuredd olrhain ac olrhain al, ca, fe, mn, p, cr, cu, ni, ti, v, zr, as a b sbectrosgopeg allyriadau atomig plasma wedi'u cyplysu'n anwythol (ICP-AES)Metel Silicon 97. Penderfynwyd ar sampl safon metel silicon, NIST SRM -57 A, gyda chanlyniadau boddhaol ar gyfer pennu samplau metel silicon o dan amodau offeryn optimaidd a chyfryngau assay. Roedd adferiadau amhureddau olrhain ac olrhain mewn samplau metel silicon rhwng 95%~ 105%, ac roedd y gwyriad safonol cymharol RSD yn llai na 5%, a oedd yn hawdd ei weithredu, yn gyflym i'w dadansoddi, a chanlyniadau cywir a dibynadwy.

1.Yn y system microsensor, y fusible aml-haenMetel Silicon 97Defnyddir y broses gydgysylltiad i oresgyn y ffaith, pan fydd y microsensor a'r sglodyn IC wedi'u hintegreiddio'n monolithig, na all y cysylltiad alwminiwm wrthsefyll y tymheredd uchel anelio sy'n ofynnol ym mhroses weithgynhyrchu'r microsensor, a gellir prosesu'r strwythur rhyng -gysylltiad ar y broses CMOS safonol llinell, sy'n lleihau'r gost weithgynhyrchu. Ar ôl tâp-allan, mae gan y strwythur rhyng-gysylltiad nodweddion sylw cam cryf, sefydlogrwydd thermol da, gwrthedd isel, ac ysgythriad sych hawdd, a all fodloni gofynion rhyng-gysylltiad aml-haen IC ar raddfa fawr. Mae'r gylched integredig hybrid digidol-analog ar raddfa fawr sy'n cynnwys TG yn cadw ei berfformiad ar ôl yr amodau anelio yw 500 gradd 5, h, 600 gradd, 30 munud, 650 gradd 5, a min, yn y drefn honno. Mae'r amodau anelio uchod yn cwrdd â gofynion integreiddio systemau microsensor monolithig yn seiliedig ar ffilmiau tenau ferroelectric.

Tagiau poblogaidd: Metel Silicon Metel Lefel Uchel 97, China Metel Metel Lefel Uchel Metel 97 Gwneuthurwyr, Cyflenwyr, Ffatri