Dulliau cynhyrchu o bowdr metel silicon
Prosesu deunydd crai
Yn deillio o gwarts purdeb uchel (SIO₂) trwy ostyngiad carbothermig mewn ffwrneisi arc trydan
Mae silicon cynradd yn cael ei fireinio ymhellach i gael gwared ar amhureddau (Fe, Al, CA)
Technegau gweithgynhyrchu powdr
Melino mecanyddol
Dull cynhyrchu mwyaf cyffredin
Yn cyflawni meintiau gronynnau o 10μm i 500μm
Cost-effeithiol ond yn cynhyrchu siapiau gronynnau afreolaidd
Atomization nwy
Yn cynhyrchu gronynnau sfferig (10-150 μm)
Gwell nodweddion llif ar gyfer gweithgynhyrchu ychwanegion
Cost cynhyrchu uwch na melino
Dyddodiad Anwedd Cemegol (CVD)
Yn creu powdrau ultra-mân (<1μm)
Lefelau purdeb uchaf (99.999%+)
A ddefnyddir ar gyfer cymwysiadau electronig arbenigol

Nodweddion materol powdr metel silicon
Priodweddau Ffisegol
Dwysedd: 2.33 g\/cm³
Pwynt toddi: 1414 gradd
Dargludedd Thermol: 149 w\/m · k
Gwrthiant Trydanol: Gellir ei addasu o 10⁻³ i 10⁵ ω · cm trwy ddopio
Priodweddau Cemegol
Yn ffurfio haen sio₂ amddiffynnol mewn aer
Yn adweithio â halogenau ar dymheredd uchel
Yn hydoddi mewn toddiannau alcali poeth
Nodweddion gronynnau
Dosbarthiad Maint: Yn amrywio o nano-raddfa (<100nm) to coarse (500μm+)
Morffoleg: Angular (Milled) yn erbyn sfferig (atomedig)
Arwynebedd: 0. 5-50 m²\/g yn dibynnu ar faint gronynnau
Paramedrau rheoli ansawdd powdr metel silicon
Dadansoddiad Cyfansoddiad Cemegol (ICP-OES)
Dosbarthiad maint gronynnau (diffreithiant laser)
Arholiad Morffoleg (Delweddu SEM)
Mesur Arwynebedd (Dull BET)
Tap Profi Dwysedd
Proffilio amhuredd (GDMs ar gyfer graddau purdeb uchel)

Tueddiadau'r Farchnad a Rhagolwg y Dyfodol
Cynhyrchu Byd -eang: 3.2 miliwn tunnell y flwyddyn (2023)
Gyrwyr twf:
Ehangu Ynni Solar (twf blynyddol o 15%)
Galw batri cerbyd trydan
Miniaturization electroneg uwch
Datblygiadau Technolegol:
Peirianneg Nanoparticle
Dulliau Cynhyrchu Cynaliadwy
Arloesiadau deunydd cyfansawdd
Tagiau poblogaidd: Dadansoddiad o bowdr metel silicon, Dadansoddiad Tsieina o wneuthurwyr powdr metel silicon, cyflenwyr, ffatri

