Pa mor bur yw polysilicon? ‌

Mae'r gofyniad purdeb ar gyfer polysilicon yn uchel iawn, ond mae'n amrywio'n sylweddol yn dibynnu ar ei ddefnydd terfynol:

Gradd electronig (ar gyfer lled -ddargludyddion): ‌ Dyma'r lefel purdeb uchaf, yn nodweddiadol sy'n gofyn am ‌99.9999999% (9N) neu burdeb uwch. Rhaid lleihau amhureddau i rannau fesul biliwn (ppb) neu hyd yn oed rannau fesul triliwn (ppt). Gall hyd yn oed crynodiadau munud o dopants fel boron, ffosfforws, neu fetelau ddiraddio priodweddau trydanol y wafferi silicon monocrystalline terfynol a pherfformiad cylchedau integredig a luniwyd arnynt. Mae prosesau sychu llym (fel FlashDry) yn hanfodol ar ôl puro i atal ocsidiad arwyneb a halogi cyn tyfiant grisial.
Gradd solar (ar gyfer ffotofoltäig): ‌ Er eu bod yn dal yn bur iawn, mae'r gofynion ychydig yn llai llym na gradd electronig, yn nodweddiadol oddeutu ‌99.9999% (6N) purdeb‌. Mae goddefiannau ar gyfer rhai amhureddau, yn enwedig dopants a all fod yn fuddiol i gelloedd solar (fel boron neu ffosfforws), yn uwch. Mae datblygiadau mewn technoleg puro wedi lleihau cost a defnydd ynni polysilicon gradd solar yn sylweddol wrth gynnal ansawdd digonol.

Mae'r prosesau puro (ee, distyllu clorosilanau, dyddodiad anwedd cemegol yn y broses Siemens, crisialu/torri datblygedig) wedi'u cynllunio'n benodol i gyflawni'r lefelau purdeb rhyfeddol hyn o'r porthiant MGS cymharol amhur.