Priodweddau Corfforol Silicon Carbide
Silicon carbid yw un o'r deunyddiau diwydiannol anoddaf ar ôl carbid diemwnt a boron, ac mae ei fondio cofalent cryf yn rhoi perfformiad mecanyddol a thermol rhagorol iddo. Mae caledwch Mohs oddeutu 9.0 i 9.5, mae'r dwysedd yn 3.1 i 3.3 g fesul centimedr ciwbig, mae'r tymheredd dadelfennu yn uwch na thua 2700 gradd C, mae'r dargludedd thermol tua 120 i 270 W fesul metr fesul kelvin yn dibynnu ar y math grisial a'r purdeb, mae ehangu thermol yn isel gydag ymddygiad sioc thermol ardderchog, mae strwythur lled-ddargludiad yn amrywio, ac mae'r strwythur trydanol yn amrywio lled-ddargludedd. tymheredd.
Caledwch Uchel ac Ymwrthedd Gwisgo
Mae caledwch Mohs o tua 9.0 i 9.5 yn gwneud SiC yn addas ar gyfer malu olwynion, torri sgraffinyddion, cydrannau sy'n gwrthsefyll traul, a rhannau peirianneg ceramig, gan gynnal perfformiad o dan amodau gwisgo mecanyddol difrifol.
-Sefydlwch tymheredd uchel
Mae SiC yn cynnal sefydlogrwydd strwythurol o dan dymheredd hynod o uchel gyda thymheredd dadelfennu uwchlaw 2700 gradd C, ymwrthedd sioc thermol ardderchog, a chyfernod ehangu thermol isel. Mae'r priodweddau hyn yn ei gwneud yn addas ar gyfer cydrannau ffwrnais, dodrefn odyn, a chynhyrchion gwresrwystrol tymheredd uchel. Mae dargludedd thermol uchel yn gwella effeithlonrwydd trosglwyddo gwres, unffurfiaeth tymheredd, a pherfformiad rheoli thermol.
Priodweddau Cemegol ac Ymddygiad Ocsidiad
Mae gan silicon carbid sefydlogrwydd cemegol rhagorol, yn gyffredinol yn gwrthsefyll asid hydroclorig, asid sylffwrig, a llawer o amgylcheddau cyrydol, gydag ymwrthedd da yn erbyn amgylcheddau alcalïaidd ar dymheredd arferol. Pan fydd yn agored i ocsigen ar dymheredd uchel, mae SiC yn mynd trwy ddau gam ocsideiddio: mae ocsidiad gweithredol tua 600 i 900 gradd C yn ffurfio cynhyrchion nwyol, tra bod ocsidiad goddefol uwchlaw tua 1000 gradd C yn ffurfio haen amddiffynnol silicon deuocsid ar yr wyneb sy'n arafu ocsidiad pellach ac yn gwella gwydnwch tymheredd uchel.
Adweithedd Metelegol a Gwahaniaethau Math
Mewn cymwysiadau gwneud dur a ffowndri, mae SiC yn gweithredu fel ffynhonnell silicon a charbon cyfun ar gyfer ychwanegu silicon, addasiad carbon, cefnogaeth dadocsidiad, a gwell glendid metel. Mae Green SiC yn cynnig purdeb a chaledwch uwch ar gyfer sgraffinyddion manwl a serameg uwch; mae SiC du yn cynnig caledwch a chost-effeithiolrwydd ar gyfer meteleg, gwrthsafol, a sgraffinyddion cyffredinol; powdr mân yn gwella ymddygiad sintering; ac mae SiC metelegol yn gwasanaethu gwneud dur a charbureiddio. Mae gofynion purdeb yn amrywio o 85 i 99 y cant ar gyfer gwneud dur, canolig i uchel ar gyfer anhydrin, uchel ar gyfer sgraffinyddion, ac uwch -uchel, yn nodweddiadol 99.99 y cant neu fwy, ar gyfer lled-ddargludyddion.
Cwestiynau Cyffredin
C: Beth yw caledwch carbid silicon?
A: Tua 9.0 i 9.5 Mohs, un o'r deunyddiau diwydiannol anoddaf.
C: A yw carbid silicon yn toddi?
A: Ar bwysau atmosfferig nid yw'n toddi fel arfer; mae'n dadelfennu uwchlaw tua 2700 gradd C.
C: Beth yw'r dargludedd thermol?
A: Tua 120 i 270 W y metr fesul kelvin yn dibynnu ar y math a'r purdeb.
C: Sut mae SiC yn gwrthsefyll ocsidiad?
A: Uwchben tua 1000 gradd C mae haen amddiffynnol SiO2 yn ffurfio ac yn arafu ocsidiad pellach.
C: Beth mae SiC yn ei wneud mewn gwneud dur?
A: Mae'n darparu silicon a charbon ar gyfer deoxidation, carburization, a thriniaeth metel tawdd.
C: Pa purdeb sydd ei angen ar gyfer lled-ddargludyddion?
A: Gradd electronig purdeb uchel iawn, yn gyffredinol 99.99 y cant neu fwy.
Ar gyfer dyfyniadau carbid silicon ar draws graddau a ffurflenni,cysylltwch â'n tîm gwerthu.